• 技术详细介绍
    摘要：本发明涉及硫锡钡单晶体及其合成和应用。硫锡钡的分子式为Ba7Sn5S15，分子量为2035.91，属六方晶系，空间群P63cm，单胞参数为α＝β＝90°，γ＝120°，Z＝6。采用密封真空石英管及石墨坩埚高温反应法制备。硫锡钡晶体具有优良的红外非线性光学性能，实验测定其粉末(粒度150-212μm)SHG强度约为相应粒度AgGaS2的2倍；在粒度为45-75μm时，达到AgGaS2的10倍，且满足I类相位匹配。