• 技术详细介绍
    项目全面揭示新一代半导体材料单晶碳化硅在各种磨粒作用下的表现特征与行为机制，从源头上解决SiC 单晶基片高效平坦化阶段的瓶颈问题。提出并攻克基于凝胶原理的超细金刚石半固着磨削工具制备中的关键技术并研究其关键科学问题，实现单晶碳化硅基片的高效率研磨与超光滑抛光。通过综合采用能够实现磨削工具与碳化硅界面等量去除的固结磨料高效平坦化磨削以及能够实现等量去除但是又能够实现“容没”效应的柔性研抛，为实现高效低损伤的单晶碳化硅基片加工提供可靠的基础依据和技术突破口。项目的完成对促进我国电子信息制造业自主研发新的工艺和技术，特别是对促进及广东省高性能IC 和LED 半导体照明领域的技术进步与升级具有明确的意义。