• 技术详细介绍
    碳化硅，又称人造金刚石，具有很好的力学、化学、电学性能，可应用于极端电子学器件。单晶、多晶碳化硅的加工需要极高的温度，用物理气相转移、低压化学气相淀积的方法制备。由于工艺温度高，对前向和后向工艺影响大，所以该方法不具有工艺兼容性。我们研制的低温碳化硅借由等离子体，在低温环境（300度）下制备而成，辅以400度左右的炉退火，可实现对薄膜应力的良好控制（从压应力到张应力，控制精度约正负30MPa）。整个工艺温度不超过500度，与传统集成电路加工具有很好的兼容性；制备出的碳化硅材料为非晶，具有良好的机械性能和化学稳定性。因此，此技术制备的碳化硅薄膜，可广泛应用于薄膜涂层，作磨损保护和腐蚀保护；也可用做机械结构，作传感部件，并使用于恶劣的腐蚀性环境。