• 技术详细介绍
    本发明公开了一种制备ABX3钙钛矿单晶薄膜的方法，所述制备ABX3钙钛矿单晶薄膜的方法将含A卤代物和含B金属化合物溶解于溶剂M中，含A卤代物和含B金属化合物的摩尔比为1：0.1～2；配置成浓度为0.05‑5.0mol/L钙钛矿溶液；向基片P上滴加钙钛矿溶液，盖上基片Q；利用基片P与基片Q两片基片，控制钙钛矿单晶的生长方向，使晶体在基片P与基片Q两基片之间的缝隙生长，即钙钛矿单晶只能延两个方向生长，随着两基片之间钙钛矿溶液中溶剂的蒸发制得钙钛矿单晶薄膜。本发明可制备出较高质量、较大尺寸的钙钛矿单晶薄膜；方法工艺简单、可操作性强、可重复性高。