• 技术详细介绍
    本发明公开一种气体脉冲反应溅射法制备Al2O3阻氚涂层的工艺，该工艺包括基片预处理、偏压反溅清洗、采用高真空反应磁控溅射设备在CLF‑1基材表面沉积Al2O3阻氚涂层、退火等步骤，溅射工艺中O2流量周期性变化。本发明提供的方法，操作简单，制得的Al2O3涂层具备多层和成分梯度杂化双相结构，退火后α‑Al2O3更容易成相，CLF‑1基体材料氧化程度显著降低。