• 技术详细介绍
    本发明公开了一种氧化镱掺杂低温烧结高压电性PZT基陶瓷材料及其制备方法，该压电陶瓷的通式为xPb(Ni1/3Nb2/3)O3–yPb(Mg1/2W1/2)O3–(1–x–y)Pb(Zr0.3Ti0.7)O3+u