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技术详细介绍本发明公开了一种用于大面积纳米缝隙阵列的制作方法,涉及微纳加工领域。将角度沉积的阴影效应与基底旋转结合起来,通过调节基底的旋转速度、纳米掩模结构、沉积角度及沉积速度参数相互配合,制作新型且大面积的纳米缝隙阵列结构。并且利用本发明所公开的技术,以光栅为沉积掩模基底,已经制作出大面积周期性纳米缝隙阵列结构。
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最新需求
所属行业: 纳米及超细材料
交易价格:面议
类型:发明专利
技术成熟度:正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201611072696.4
交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股
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