• 技术详细介绍
    本发明提供了一种厘米量级单晶三氧化钼纳米带的制备方法，其特征在于，包括如下步骤（1）将钼源固定在坩埚中；（2）将Y2O3粉末均匀覆盖在所述钼源的表面上；（3）将坩埚放置在磁悬浮熔炼炉的线圈中，打开电源启动磁悬浮炉，升温至1000℃~2000℃内，保温80