• 技术详细介绍
    本发明公开了一种基于Cr2O3模板低温制备Zr掺杂α‑Al2O3纳米多层阻氚涂层工艺。本发明采用射频反应磁控溅射技术，先制备一层Cr2O3作为模板层，随后利用模板效应再制备一层Zr掺杂α‑Al2O3，重复上述步骤多步沉积获得Zr掺杂α‑Al2O3/Cr2O3纳米多层阻氚涂层预抽真空度＜7.0×10‑4