• 技术详细介绍
    本发明公开了一种压电晶体原料及其制备方法，属于晶体生长技术领域。技术方案为采用分步法制备出InNbO4(IN)粉料和MgNb2O6(MN)粉料，再按照Pb(In1/2Nb1/2)O3‑Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑PbTiO3(PIMNT)的化学计量比，准确称取PbO、IN、MN和TiO2粉料，球磨后压制成块状，然后烧结得到PIMNT晶体原料。本发明所合成的晶体原料具有很好的单相性，合成过程简单，可明显改善晶体原料成分偏离及对Pt坩埚的腐蚀，大大提高晶体生长的成功率及改善晶体的性能。