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技术详细介绍本发明公开一种制备镧钙锰氧纳米线阵列的方法,属于制备纳米材料技术领域;通过配套降压减薄工艺得到分布间距可控的阳极氧化铝模板之后辅以低压直流择优电沉积方法制备得到分布间距可控的镧钙锰氧纳米线阵列;该工艺突破了现有技术只能制备单一填充纳米线阵列的限制;丰富了镧钙锰氧纳米阵列作为微纳物理基础研究对象的磁学性能表现力,同时拓宽了其作为磁学器件的结构基础和性能基础。
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最新需求
所属行业: 纳米及超细材料
交易价格:面议
类型:发明专利
技术成熟度:正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201710323609.6
交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股
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