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技术详细介绍本发明提供一种高温热电Sr3Co4O9薄膜电阻率的调控方法,属于功能薄膜材料领域。本发明所述方法通过脉冲激光沉积在不同角度倾斜的单晶衬底上生长沿c轴外延的Sr3Co4O9薄膜,通过单晶衬底的c轴倾斜角度调控外延薄膜沿倾斜方向的电阻率大小。本方法可反应出层状钴基氧化物材料的电输运各向异性。
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最新需求
所属行业: 其他新材料技术
交易价格:面议
类型:发明专利
技术成熟度:正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201610811259.3
交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股
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