• 技术详细介绍
    一种多片多源卧式氢化物气相外延生长系统，反应腔体为卧式结构，生长区中设有石墨支托，不同的反应源分别设有独立的输入管道，石墨支托上放置外延生长衬底。本发明提出一种多片多源式卧式氢化物气相外延(HVPE)生长系统，以实现GaN基材料生长的大规模应用，可一次性生长多片大面积GaN基材料。