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技术详细介绍
一种实现宽带光隔离的一维磁光子晶体(专利号201310065842.0),其基本组元S0的结构式是:[H/L]2/M/[L/H]5/M/[H/L]2/M/[L/H]2/M/[H/L]5/M/[L/H]2;其中:H是硅,L是二氧化硅,M是掺铈钇铁石榴石;其第一复合结构S1=S0/M/S0;第二复合结构S2=S0/M/S0/M/S0。本发明复合结构减少了膜层总层数,降低了制备难度,提高光隔离器工作的稳定性。
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最新需求
所属行业: 其他新材料技术
交易价格:面议
类型:发明专利
技术成熟度:正在研发
专利所属地:中国
专利号:201310065842.0
交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股
一种实现宽带光隔离的一维磁光子晶体(专利号201310065842.0),其基本组元S0的结构式是:[H/L]2/M/[L/H]5/M/[H/L]2/M/[L/H]2/M/[H/L]5/M/[L/H]2;其中:H是硅,L是二氧化硅,M是掺铈钇铁石榴石;其第一复合结构S1=S0/M/S0;第二复合结构S2=S0/M/S0/M/S0。本发明复合结构减少了膜层总层数,降低了制备难度,提高光隔离器工作的稳定性。
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