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技术详细介绍
本发明公开一种高密度氧化铌溅射靶材的制备方法,原料为高纯度氧化铌粉末,其纯度大于99.99%。其制备过程按以下步骤完成:氧化铌粉末预处理;真空热压;靶材的机械加工。其中,真空热压的工艺条件为:在真空条件下,1150~1300℃保温,2~4h,保压压力10-12MPa。按本发明制备的氧化铌靶材,其密度达到4.50g/cm3以上。
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最新需求
所属行业: 高分子材料
交易价格:面议
类型:发明专利
技术成熟度:正在研发
专利所属地:
专利号:CN201210099055.3
交易方式: 完全转让
本发明公开一种高密度氧化铌溅射靶材的制备方法,原料为高纯度氧化铌粉末,其纯度大于99.99%。其制备过程按以下步骤完成:氧化铌粉末预处理;真空热压;靶材的机械加工。其中,真空热压的工艺条件为:在真空条件下,1150~1300℃保温,2~4h,保压压力10-12MPa。按本发明制备的氧化铌靶材,其密度达到4.50g/cm3以上。
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