一种碳化钛泡沫陶瓷的制备方法

技术简介 一种碳化钛泡沫陶瓷材料的制备方法，以二氧化钛为钛源，以酚醛树脂为碳源，依次进行聚氨酯泡沫腐蚀处理，二氧化钛粉末与酚醛树脂溶液混合，聚氨酯泡沫在混合溶液中真空浸渍，干…… 查看详细 >

一种碳化硼基复合陶瓷及其制备方法

技术简介 本发明公开了一种碳化硼基复合陶瓷及其制备方法，按重量百分数，包括下述组分：碳化硼粉末45％～50％、酚醛树脂5％～8％、金属硅42％～50％；上述组分称量后，先用酒精溶解酚醛…… 查看详细 >

一种定向排列孔碳化硅多孔陶瓷的制备方法

技术简介 本发明公开了一种定向排列孔碳化硅多孔陶瓷的制备方法，首先按重量百分比，在基本原料碳化硅10～100％中加入碳粉0～30％，硅粉0～50％，氧化硅粉0～60％；其中碳化硅粒度为W3.5…… 查看详细 >

一种碳化硅基增强复合陶瓷及制备方法

技术简介 本发明公开了一种碳化硅基增强复合陶瓷及制备方法，其特征在于，按重量百分数，包括下述组分：碳化硅粉末30％～40％、碳化硼粉末5％～17％、纳米碳黑9％～12％、金属硅40％～50…… 查看详细 >

一种致密碳化硅陶瓷的制备方法

技术简介 本发明公开了一种致密碳化硅陶瓷的制备方法碳化硅陶瓷特征在于，利用纯碳化硅或反应化合生成碳化硅的物质源在2250～2500℃下所发生的分解、化合反应，采用高温物理气相传输技术…… 查看详细 >

一种低压高能SiC半导体电嘴材料的制备方法

技术简介 本发明公开了一种低压高能SiC半导体电嘴材料的制备方法，包括以下步骤1)按照体积配比，选取45～70％的SiC粉末，5～15％的ZrO2粉末，10～30％的Al2O3粉末，10～30％的构成玻璃体…… 查看详细 >

一种结合气固反应法制备重结晶碳化硅多孔陶瓷的方法

技术简介 本发明公开了一种结合气固反应法制备重结晶碳化硅多孔陶瓷的方法，包括以下步骤1)将SiO粉末置于坩埚底部，按照质量百分比将70～95wt％的碳化硅和5～30wt％的纳米炭黑的混合粉末…… 查看详细 >

一种层状金属‑陶瓷复合材料零件的制备方法

技术简介 本发明公开的一种层状金属‑陶瓷复合材料零件的制备方法，属于金属‑陶瓷复合材料复杂零件近净成形技术领域。采用的技术方案为通过光固化快速成型技术来制备内部具有层状结构的…… 查看详细 >

一种基于碳热还原制备无晶界相多孔氮化硅陶瓷的方法

技术简介 本发明公开了一种基于碳热还原制备无晶界相多孔氮化硅陶瓷的方法，首先按重量百分比，将下述组分：氮化硅93～95％、烧结助剂5～7％混合，按常规多孔氮化硅的制备工艺获得气孔率…… 查看详细 >

一种基于渗硅氮化制备无晶界相多孔氮化硅陶瓷的方法

技术简介 本发明公开了一种基于渗硅氮化制备无晶界相多孔氮化硅陶瓷的方法，按重量百分比，将下述组分：氮化硅93～95wt％、烧结助剂5～7wt％混合，按常规多孔氮化硅的制备工艺获得气孔率…… 查看详细 >

可控气孔率的氮化硅多孔陶瓷及制备方法

技术简介 本发明公开了一种可控气孔率的氮化硅多孔陶瓷及制备方法，按重量百分比，包括下述组分：硅粉10～80％、氧化硅10.7～60.7％、烧结助剂5～10％、碳黑4.3～24.3％。烧结助剂选自II…… 查看详细 >

一种多孔Si₃N₄基体表面覆涂h-BN涂层的方法

技术简介 一种多孔Si3N4基体表面覆涂h-BN涂层的方法，步骤为：一、按质量比将Si3N4、Y2O3、Al2O3和石油焦混合球磨制得料浆；二、将料浆干燥，过筛，将得到的粉末压成生坯，在N2气氛中烧…… 查看详细 >