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  • 聚合C60一维纳米材料及其制备方法

    安徽师范大学 安徽 芜湖市 类型:发明专利 成熟度:正在研发 交易方式:完全转让 交易价格:面议

    技术简介 一种聚合C↓[60]一维纳米材料,是由模板控制自由基聚合得到的C↓[60]分子间共价连接的C↓[60]一维聚合体纳米管。其自由基聚合是在惰性气体保护下于400~55…… 查看详细 >

  • 含吡啶取代茚配体二价稀土金属配合物及其应用

    安徽师范大学 安徽 芜湖市 类型:发明专利 成熟度:正在研发 交易方式:完全转让 交易价格:面议

    技术简介 本发明涉及通式(Ⅰ)、(Ⅱ)所示的含吡啶取代茚配体二价稀土金属配合物及其应用式中,Ln为Sm(Ⅱ)、Eu(Ⅱ)或Yb(Ⅱ),R为氢(H-)、或三甲基硅基(Me↓[3…… 查看详细 >

  • 含氧杂环取代茚配体二价稀土金属配合物及其应用

    安徽师范大学 安徽 芜湖市 类型:发明专利 成熟度:正在研发 交易方式:完全转让 交易价格:面议

    技术简介 本发明涉及通式为所示的含氧杂环取代茚配体二价稀土金属配合物及其应用。式中Ln为Sm(Ⅱ)、Eu(Ⅱ)或Yb(Ⅱ);→为配位键;*为单键或双键;R为-H、或三甲基硅基…… 查看详细 >

  • 碳包覆磁性金属纳米材料的制备方法

    安徽师范大学 安徽 芜湖市 类型:发明专利 成熟度:正在研发 交易方式:完全转让 交易价格:面议

    技术简介 本发明公开了一种碳包覆磁性金属纳米材料的制备方法,属于磁性金属材料的制备方法这一技术领域,包括磁性金属纳米粒子制备过程、碳包覆过程,所述的碳包覆过程为将磁性金属纳米…… 查看详细 >

  • 磁性纳米链的制备和使用方法

    安徽师范大学 安徽 芜湖市 类型:发明专利 成熟度:正在研发 交易方式:完全转让 交易价格:面议

    技术简介 本发明公开了一种磁性纳米链的制备及使用方法,其技术方案为在搅拌情况下,将含有磁性金属离子的水溶液加入亲水性聚合物的水溶液中,磁性金属离子与亲水性聚合物的重量比为10…… 查看详细 >

  • 硫酸钙废渣制备白水泥缓凝剂和建筑石膏粉

    安徽师范大学 安徽 芜湖市 类型:发明专利 成熟度:正在研发 交易方式:完全转让 交易价格:面议

    技术简介 白水泥缓凝剂和建筑石膏粉的生产一般采用品位较高的优质石膏作为原料,皖南是优质石膏资源的匮乏区,每年需从外省长途调运大量建筑石膏粉和高品位优质石膏用于白水泥生产,利用…… 查看详细 >

  • 新材料研发和产业化工艺优化技术

    安徽师范大学 安徽 芜湖市 类型:非专利 成熟度:可以量产 交易方式:完全转让 交易价格:面议

    技术简介 信息化带动产化是当今新材料生产工业发展方向和趋势。长期以来国内大部分企业不重视自身生产潜力的开掘,造成生产落后竞争力差的局面。提升企业竞争力关键不一定在于大量投资硬…… 查看详细 >

  • 动物肉及相关残体等的物种特异性分子鉴定技术

    安徽师范大学 安徽 芜湖市 类型:非专利 成熟度:正在研发 交易方式:完全转让 交易价格:面议

    技术简介 一种可以快速、准确对市场上销售的各种动物的肉、残体进行物种特异性分子鉴定技术。本方法是利用PCR多重扩增反应,特异性地扩增出特定动物的DNA片断,并对该片断进行分析、对比…… 查看详细 >

  • 用于高GC含量基因扩增的高效PCR体系添加剂

    安徽师范大学 安徽 芜湖市 类型:非专利 成熟度:正在研发 交易方式:完全转让 交易价格:面议

    技术简介 在PCR进程中高GC含量基因模板的单链易形成二级结构,该二级结构严重影响PCR效率、或引起PCR产物出现截断现象、或者扩增不出PCR产物。经过长期摸索,我们制备了一种用于高GC含量…… 查看详细 >

  • 多功能芯片检测装置

    安徽师范大学 安徽 芜湖市 类型:发明专利 成熟度:通过中试 交易方式:完全转让 交易价格:面议

    技术简介 一种多功能芯片检测装置,包括一机架及供芯片放置的芯片平台,还包括:检测光路模块、光路倒置机构和控制接口系统;所述的光电检测模块中的检测光路在芯片平台的上方,且所述的…… 查看详细 >

  • 微流控芯片荧光检测光学装置

    安徽师范大学 安徽 芜湖市 类型:发明专利 成熟度:通过中试 交易方式:完全转让 交易价格:面议

    技术简介 一种微流控芯片荧光检测光学装置,包括光源、滤光片、半透半反境、物镜组、光电倍增管,该检测光学装置的构成包括:检测光路、信息采集接口和控制接口。本装置适用范围广,调整…… 查看详细 >

  • 一种紧凑型感应耦合低温等离子体干法刻蚀系统

    华南师范大学 广东 广州市 类型:专利 成熟度:正在研发 交易方式:完全转让 交易价格:面议

    技术简介 本发明的目的就是为了克服现有湿法刻蚀化合物半导体特别是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体时所产生的精度差、刻蚀速率低、选择性差、对被刻蚀损伤大等的缺点而发明的一种能高速率、低损伤…… 查看详细 >

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