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技术简介: 摘要:一种多孔镁和多孔镁合金的制备方法,以镁粉或镁合金粉为原料,采用限位式模具多孔镁工艺步骤如下:①按照计算式m=V×ρ计算出所需镁粉或镁合金粉的质量m,根据镁粉或镁合金粉质量的计算值…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明属于半导体材料与器件领域,特别涉及一种半导体薄膜的制备方法。提出一种采用磁控溅射装置,通过CdS靶和铜靶共溅射,室温沉积,及后续退火处理;或原位生长共溅射,及后续保压处理…… 查看详细 >
4H-SiC基中子探测器用6LiF/ BC4复合中子转换薄膜制备工艺方法
技术简介: 摘要:本发明公开了一种4H-SiC基半导体中子探测器用的6LiF/BC4复合中子转换膜制备方法,采用射频磁控溅射技术,主要包含镀前处理、偏压反溅射清洗、预溅射清洗以及沉积6LiF/BC4复合转换膜等步骤…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明涉及一种基于飞秒脉冲激光沉积生长周期性阵列微纳米结构薄膜的方法及其装置。该方法采用传统激光沉积技术,在激光沉积系统中的真空腔内增加掩膜过滤,得周期性阵列结构薄膜,再将薄…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种PVD氧化物涂层制备方法,尤其是一种涉及氧化物涂层制备领域的氧化物涂层制备方法。本发明提供一种沉积率高,所制得的涂层绝缘效果好的氧化物涂层制备方法。本发明的氧化…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明涉及一种薄膜表面氧化铝量子点的电子辐照制备方法。该方法包括基片的清洗;氧化铝非晶薄膜的制备;商用电子静电加速器对制备的非晶薄膜进行电子辐照;以及对辐照非晶薄膜进行退火处…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种掺硼金刚石膜/碳膜复合电极材料的制备方法。其特点是通过采用常规金刚石膜制备方法,先在不导电衬底(2)上制备绝缘金刚石膜(3)。然后在衬底另一面制备掺硼金刚石膜(1…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明特别涉及一种用于保护金属表面免受氧化并增强它的可焊性的、为印刷电路板(PCB)的铜表面提供保护性涂层的金属表面处理剂,以及施用该处理剂形成保护膜的印刷线路板。该表面处理剂,…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明涉及一种多孔羟基磷灰石涂层的制备方法,特别是一种悬浮液等离子喷涂制备多孔羟基磷灰石涂层的方法,属于生物医用材料制备技术领域。本发明是将固含量为16%45%羟基磷灰石悬浮液中…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种电解法制备磷酸二氢钾的方法,其特点是将饱和或接近饱和的氯化钾溶液与浓度为1~8mol/L的磷酸氢二钾溶液、或磷酸二氢钾和磷酸氢二钾的混合溶液、或磷酸氢二钾和磷酸三钾的…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种利用膜电解技术矿化CO2联产盐酸实现富钾溶液分离的方法,在阴离子交换膜分隔形成的阳极区加入稀盐酸,在阴极区加入含有氯化钙的富钾溶液,在阳极电极和阴极电极之间施加…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种使纯钛或钛合金基体表面的涂层与基体剥离的方法及应用,包括清洗、制电解液、氧化、加压和烘干等步骤,解决了钛或钛合金基体表面涂层剥离困难的技术难题。本发明不会对涂…… 查看详细 >
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