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技术简介: 本发明涉及一种掺钕钨酸镧铯激光晶体及其制备方法和用途。采用熔盐提拉法,在1010℃左右,以10~30转/分钟的晶体转速,0.2~0.7毫米/小时的拉速,生长出了高质量、较大尺寸的Nd3+:CsLa(WO4)2晶体…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及纳米材料技术领域。该单晶片盐a-b平面生长,尺寸为近100nm,厚度为c-轴方向,大小约为1个晶胞长度。单晶片表面清洁,无须其它衬底生长且可以孤立稳定地存在。单层β-Ni(OH)2二维纳米…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及非线性光学材料亚碲酸钼银晶体及其合成。该晶体的化学式为Ag2Mo3Te3O16,分子量为:1142.35,属单斜晶系,空间群I2,单胞参数为a=7.398(6),b=11.296(8),c=8.245(10),a=γ=90°,…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及非线性光学材料及新型光致发光材料领域。该晶体其化学式为KZn4SbO7,分子量为534.33,属六方晶系,空间群P6(3)mc,单胞参数为a=6.141(3),b=6.141(3),c=9.948(6),α=90°,β=90°…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种新型的高可见光催化活性催化剂,其化学组成通式为S-x%MoOx/MgF2。其制备方法为:(1)按MgF2化学计量比称取硝酸镁和氟化铵,分别溶于去离子水中后混和,得到胶状液I。(2)称取钼酸…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种新型的高可见光催化活性催化剂,其特征在于该催化剂为复合氧化物,标记为VGdO-x,x为n(V)/n(Gd),0.2 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种P型导电性的CuI单晶体及其水热生长方法。生长的CuI晶体为γ相,是直接带隙的P型导电性半导体。利用低温水热法实现具有P型导电性优质CuI晶体的生长。得到的CuI晶体可以作为P型半…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及一种碳酸氧化镧基纳米荧光粉体及其制备方法。本发明采用前驱体热解的工艺步骤,热解温度范围为400-750℃。本发明中,掺杂稀土离子部分取代La2O2CO3中的La离子,掺杂后碳酸氧化纳镧基…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及一种非线性光学晶体乙二铵五硼酸铝及其制备和用途。该晶体化学式为[Al(B4O9)(BO)]·NH3CH2CH2NH3,分子量为303.15,属单斜晶系,空间群Pc,单胞参数为a=6.667(4),b=8.151(4),c=10.41…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及新型铁电固溶体铌镱酸钡-钛酸铅及其制备方法和用途。该陶瓷具有钙钛矿型结构,其化学式为(1-x)Ba(Yb1/2Nb1/2)-xPbTiO3(0 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及非线性光学晶体硼铍酸钠及其生长方法和用途。其化学式为NaBeB3O6,属于正交晶系,空间群为Pna21,晶胞参数为a=9.1531,b=11.9337,c=4.3724,α=β=γ=90°,z=4,单胞体积为V=4…… 查看详细 >
技术简介: 掺钕硼钼酸镧激光晶体及其制备方法,属于人工晶体领域。该激光晶体属于单斜晶系,分子式为Nd3+:LaBMoO6,Nd3+掺杂浓度在0.5at.-15at.%之间。该激光晶体采用提拉法生长,生长温度1090℃,晶体转…… 查看详细 >
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