一种芯片集成的2微米波长微型激光器

技术简介： 本发明公开了一种芯片集成的2微米波长微型激光器，包括稀土掺杂氧化硅微环芯腔和微纳光纤，其中微纳光纤处于所述氧化硅微环芯腔的一侧，所述氧化硅微环芯腔通过如下方法制备得到：（1）通过溶胶…… 查看详细 >

基于重构－等效啁啾技术制备半导体激光器的方法及装置

技术简介： 基于重构－等效啁啾技术制备分布反馈半导体激光器的方法，采用取样布拉格光栅结构，即分布反馈半导体激光器波导里的光栅是取样布拉格光栅，取样布拉格光栅含有对应普通布拉格光栅的等效光栅；分…… 查看详细 >

基于重构-等效啁啾和等效半边切趾的DFB半导体激光器及制备方法

技术简介： 本发明公开了基于重构-等效啁啾（REC）和等效半边切趾的分布反馈式（DFB）半导体激光器的制备方法，所述激光器的光栅结构是基于重构-等效啁啾技术的取样布拉格光栅；光栅中的相移是通过等效啁啾…… 查看详细 >

基于特殊等效相移的DFB半导体激光器

技术简介： 基于特殊等效相移的DFB半导体激光器，DFB半导体激光器结构由长度相同、取样周期相同的左右两段取样布拉格光栅组成，取样周期从1微米到数十微米量级，但是左右两段取样布拉格光栅的占空比不同，…… 查看详细 >

相移电控制取样光栅半导体激光器及其设置方法

技术简介： 本发明提出了一种基于相移电控制的取样光栅半导体激光器，所述的DFB半导体激光器结构由第一与第二两个取样光栅区和一个相移区组成；两边取样光栅区中的光栅是取样布拉格光栅（SBG），中间为相移…… 查看详细 >

基于重构—等效啁啾的非对称结构的DFB半导体激光器及制备

技术简介： 本发明提出了利用重构—等效啁啾（REC）的非对称结构的DFB半导体激光器，通过非对称等效π(λ/4)相移或π/2(λ/8)相移或其它相移量的DFB半导体激光器；内置布拉格光栅是等效相移光栅，相移光栅…… 查看详细 >

基于重构-等效啁啾的非对称等效切趾取样光栅及激光器

技术简介： 本发明公开了一种基于重构-等效啁啾技术的非对称等效切趾取样光栅及其DFB半导体激光器，激光器腔内的光栅是基于重构-等效啁啾技术的取样光栅，该取样光栅结构中含有对应普通布拉格光栅的等效光…… 查看详细 >

基于叠印啁啾结构的DFB半导体激光器及激光器阵列

技术简介： 本发明公开了一种基于叠印啁啾结构的DFB半导体激光器，激光器腔内的光栅采用叠印啁啾光栅结构，由两个完全相同纳米精度的啁啾光栅在激光器腔内纵向排列组成；两个啁啾光栅级联或者重叠写入。两…… 查看详细 >

基于重构-等效啁啾的非对称相移和等效切趾取样光栅及其DFB激光器

技术简介： 本发明公开了一种基于重构-等效啁啾的非对称相移和等效切趾的取样光栅及其DFB激光器，所述等效切趾取样光栅是基于重构-等效啁啾技术设计的取样布拉格光栅结构，该光栅结构中含有对应普通布拉格…… 查看详细 >

基于重构-等效啁啾和纳米压印制备DFB激光器及阵列的方法

技术简介： 基于重构-等效啁啾和纳米压印技术制备的DFB激光器制备方法，DFB激光器腔的起选模作用的光栅为啁啾光栅结构，DFB激光器腔内起选模作用的光栅是基于重构-等效啁啾和纳米压印技术设计、并制备的取…… 查看详细 >

GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器及其制备方法

技术简介： 本发明公开了一种GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器，由基片和InGaN/GaN量子阱纳米柱组成，基片结构依次包括SiO2‑Si衬底、金属层、超薄氧化物层；所述InGaN/GaN量子阱纳米柱…… 查看详细 >

单片集成半导体激光器阵列的制造方法及装置

技术简介： 单片集成半导体激光器阵列的制造方法，在激光器阵列中的每个激光器DFB光栅结构采用取样布拉格光栅结构，阵列中每个DFB半导体激光器波导里的光栅是取样布拉格光栅，取样布拉格光栅含有对应普通布…… 查看详细 >