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技术简介: 本发明公开了一种SiC高温欧姆接触电极及其制作方法,首先对SiC衬底表面进行抛光处理,然后在SiC衬底表面进行光刻得到电极图像层,然后采用磁控溅射在SiC衬底电极图像层表面上依次沉积Ti层和W层…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种纳米双相复合结构Zr-Si-N扩散阻挡层材料及其制备工艺。本发明的材料是由Zr片以及在Zr片上放置若干片尺寸为10mm×10mm×0.7mm的Si片组成的复合靶,在复合靶上沉积有厚度约为90-…… 查看详细 >
技术简介: 一种应变垂直MOS器件的制造方法,在衬底上完成图形转移,再形成金属掩膜,通过进行刻蚀形成硅柱,减小硅柱直径,制备硅纳米线,并生长栅氧化层;淀积多晶硅、掺杂并激活杂质离子,形成环状栅极…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种基于压接互连工艺和混合封装技术的电力电子集成模块的制备方法,首次提出铍青铜弹簧压接互连工艺的原理以及采用该工艺设计制造电力电子集成模块的封装步骤。铍青铜压接互连工艺…… 查看详细 >
技术简介: 基于金属球压接互连技术的电力电子集成模块的制备方法,首先将MOSFET管芯焊接在钼片上;在Al2O3基板形成需要的电路图形,然后把钼片焊接到Al2O3基板上,将MOSFET管芯的栅极引出;铜箔电极焊接在…… 查看详细 >
技术简介: 一种太阳能低倍聚光光伏电池室内测试装置及测试方法,太阳模拟器发射的模拟太阳光照射在低倍聚光光伏电池平台上,太阳模拟器、低倍聚光光伏电池平台均与测控装置相连;测试时,由测控箱打开散热…… 查看详细 >
技术简介: 一种太阳能低倍聚光光伏电池室内测试装置太阳模拟器发射的模拟太阳光照射在低倍聚光光伏电池平台上,太阳模拟器、低倍聚光光伏电池平台均与测控装置相连;测试时,由测控箱打开散热器以及氙灯阵…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种GaN 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种波形微通道式换热器换热器其特征在于,包括基座(2)以及与基座(2)配合使用的盖板(3);其中,基座(2)与盖板(3)的配合面的中心处开设有波形微通道(201),波形微通道(…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及一种芯片冷却系统芯片冷却系统包括用于一级换热的芯片导热板和用于二级换热的环形热管,所述芯片导热板上并排设置有若干个微细通道,微细通道同时连接一根设置有泵的循环管道,形成循…… 查看详细 >
技术简介: 一种用于芯片冷却的脉动热管散热装置脉动热管散热装置包括芯片模块及安装在其上部的芯片冷却基座,芯片冷却基座与闭式螺旋型脉动热管配合压紧,使闭式螺旋型脉动热管的蒸发段与芯片模块充分接触…… 查看详细 >
技术简介: 本发明提供一种分裂电容中间布局的低寄生电感GaN功率集成模块,包括上桥臂器件、下桥臂器件和母线电容,上桥臂器件、下桥臂器件是LGA封装的GaN器件,母线电容是贴片封装。两个GaN器件并排放置,…… 查看详细 >
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