
技术简介:
本发明公开了一种铁酸铋‑钛酸铅压电单晶及其制备方法,根据化学组成(1‑x)BiFeO3‑xPbTiO3,其中0.3
技术简介: 本发明公开了一种压电晶体原料及其制备方法,属于晶体生长技术领域。技术方案为采用分步法制备出InNbO4(IN)粉料和MgNb2O6(MN)粉料,再按照Pb(In1/2Nb1/2)O3‑Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑PbTiO3(PIMNT)的…… 查看详细 >
技术简介: 一种棒状二硅酸锂晶体的制备方法,先将碳酸锂和二氧化硅粉体湿法球磨、烘干、过筛;将干燥过筛后的原料混合粉与Na2SO4采用氧化锆球湿法球磨混料,干燥过筛;将晶种生粉松装入氧化铝坩埚中烧结,…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种微波频段无介电弥散的铁电单晶材料的处理方法,通过变温逐步极化工艺方法去除掉铁电单晶中的畴壁,使单晶由多畴态往单畴态转变,同时降低由于移动畴壁弛豫而导致的介电弥散,最…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种力学性能优良的形状记忆合金及其制备方法,包括合金基体以及分散于合金基体中的气泡,该形状记忆合金在微纳米尺度下具有较高的相变转变应力、良好的超弹性性能及较好的变形稳定…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种非线性光学材料弛豫铁电单晶单畴化的方法,包括了退火和极化两个过程,弛豫铁电单晶包括二元(1‑x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑xPbTiO3体系和三元(1‑x‑y)Pb(In1/2Nb1/2)O3‑xPb(Mg1/3N…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种OLED显示不均匀现象的改善方法,属于OLED图像显示技术领域。将整个屏幕划分成若干区域,在每个区域内挑选出一个像素点作为典型像素点;实时记录典型像素点的等效工作时间,计算…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种获取像素亮度补偿目标的方法,内容是:首先测量平板显示器在欲补偿灰度级下各像素的亮度;然后利用插值算法计算插值区域内各像素的插值亮度;比较各像素在不同插值区域下的插值…… 查看详细 >
技术简介: 自润滑树脂基复合材料制备方法及采用该材料制造模具的方法,首先将环氧树脂、固化剂、铁粉或铝粉、纳米三氧化二铝粉或二氧化硅粉、二硫化钨或二硫化钼,碳纤维及偶联剂混合,经过球磨、真空除气…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开一种自适应制氢系统自适应制氢包括可伸缩碱性金属硼氢化物溶液储存器、可伸缩废液储存器、反应器、气液分离器和活塞板;可伸缩碱性金属硼氢化物溶液储存器的一端固定,另一端连接活塞…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开一种柔软型低烟无卤阻燃聚烯烃电缆料及其制备方法,该电缆料的组成(质量份数比)为:乙烯-醋酸乙烯酯的共聚物80~90,线性低密度聚乙烯10~20,经表面处理的无机阻燃剂65~130,高效阻…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种双回程管式超临界水反应装置,该装置由多节双回程管式超临界水反应器沿程串接而成,以延长反应流体在反应装置内的停留时间,反应后流体由末节反应器出口流入超临界水在线脱固器…… 查看详细 >
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