
技术简介: 摘要:本发明涉及一种磷酸二氢钾(KDP)孪晶的制备方法,它主是要是一种采用水溶液降温法人工培养孪晶的方法,属无机晶体材料制备工技术领域。本发明方法主要过程如下:将外形完整的磷酸二氢钾(KD…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种电子束辐照制备荧光石墨烯量子点的方法,利用现有已知技术先制备1,3,6‑三硝基芘,然后制备荧光石墨烯量子点,其步骤:(1)称取所得1,3,6‑三硝基芘溶解于去离子水中,…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种磷掺杂耦合纳米限域镁基储氢材料的制备方法,应用于新能源材料技术领域。本发明方法制备的储氢材料为氢化镁(MgH2)负载在掺杂磷元素的介孔骨架材料纳米孔道中。使用一步法…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明涉及一种实现Li-N-H(LiH+LiNH2)体系微波下快速放氢的方法,该方法采用在Li-N-H中添加质量百分比为5~35%LiBH4;将摩尔比为1:1的LiH和LiNH2粉末与质量分数为5~35%的LiBH4粉末在惰性…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明涉及一种批量制造溴化亚铜粉体材料的方法。该方法溴化铜和铜粉混合均匀后浸没在醚类物质中发生自发反应。该方法必须保证在反应过程中醚类物质始终能浸没溴化铜、铜粉以及生成的溴化…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种BiVO4/WO3/rGO三元纳米复合材料及其制备方法,通过一步法水热高效合成了在比表面积大、传输电子能力强的石墨烯表面上负载有WO3和BiVO4的三元石墨烯复合材料,本发明复合…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种汉麻秆芯粉体改性EVA复合发泡材料及其制备方法。该材料的组成及质量份数为:乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)100份;汉麻秆芯粉体1~8份;滑石粉5~15份;发泡剂3~8份;助发…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种环氧树脂硅溶胶,其特征在于:其由如下组分制成:环氧树脂,有机硅,硅烷偶联剂,有机溶剂,氨水,其中所述各组分的摩尔比为:环氧树脂1∶有机硅0.1-2∶硅烷偶联剂0.01-2…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种溶胶凝胶法制备镓掺杂氧化锌薄膜的方法,属于半导体薄膜与器件领域,首先将锌盐,硝酸镓溶于甲醇中,并逐滴加入稳定剂单乙醇胺,在磁力搅拌的情况下,60℃水浴1小时,并…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明涉及一种羟基磷灰石/聚氨基酸复合粒子及其制备方法,该复合粒子是以经过硅烷偶联剂改性得到的含氨基的羟基磷灰石为引发剂,引发氨基酸开环聚合,从而得到的一种具有核壳结构的复合…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明涉及一种选择亲和性多肽分子刷及其制备方法。该分子刷的结构式为:。本发明首次采用液相合成法制备出具有选择亲和性的十二肽链Ala-Tyr-Ser-Ser-Gly-Ala-Pro-Pro-Met-Pro-Pro-Phe,…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明涉及一种在多孔阳极氧化铝模板上电沉积法制备II-VI族半导体材料纳米线的方法。本发明方法具体步骤为:首先将S粉、Se粉或Te粉溶于HNO3溶液中,搅拌,以形成SO32-、HSeO2+或HTeO2+…… 查看详细 >
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