一种基于三临界效应提高铁电陶瓷电容率的方法

技术简介： 本发明公开了一种基于三临界效应提高铁电陶瓷电容率的方法，首先采用传统固相合成的方法，配制出不同组分的陶瓷样品；其次通过介电温谱测试系统测得各陶瓷样品电容率εr随温度T的变化关系；然后…… 查看详细 >

一种低电场、高能量密度的介电陶瓷及其制备方法

技术简介： 本发明公开了一种低电场、高能量密度的介电陶瓷及其制备方法，该介电陶瓷的化学式为(1‑x)BaTiO3‑xBaSnO3，x为摩尔百分比，其中0.03≤x≤0.15，本发明采用固相合成的制备方法，得到了具有低电…… 查看详细 >

基于成分梯度提高钛酸钡基陶瓷介电温度稳定性的方法

技术简介： 本发明公开了一种基于成分梯度提高钛酸钡基陶瓷介电温度稳定性的方法。首先在TiO2、BaCO3的基料中掺入Sn4+离子，采用传统固相合成制备工艺，预烧后获得具有不同居里温度的钛酸钡基陶瓷粉料；其…… 查看详细 >

一种反铁电高储能陶瓷材料及其制备方法

技术简介： 本发明涉及一种反铁电高储能陶瓷材料及其制备方法，其组分以通式(1‑x)PbHfO3‑xPbMg0.5W0.5O3表示，其中x表示PbMg0.5W0.5O3的摩尔百分数，并且满足x＝0.01～0.25。本发明采用两步固相烧结法制…… 查看详细 >

一种线性电致应变无铅压电陶瓷材料及其制备方法

技术简介： 本发明公开了一种线性电致应变无铅压电陶瓷材料及其制备方法，属于电子陶瓷材料技术领域。该压电陶瓷材料的组成表达式为Ba0.85Ca0.15(Zr0.1Ti0.9)1‑xFexO3，其中，x＝0.015～0.025。本发明采用…… 查看详细 >

一种硅铍石型钼基钨基超低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法

技术简介： 本发明公开了一种硅铍石型钼基钨基超低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法。以结构通式A2BO4为基础，选取低价态Li+1离子占据A位，高价态的Mo6+和W6+复合阳离子占据B位，通过传统固相反应烧结的…… 查看详细 >

铌锌酸铋微波介质薄膜的制备方法

技术简介： 本发明公开了一种铌锌酸铋微波介质薄膜的制备方法，目的在于，在传统溶胶凝胶法的基础上，通过微波加热和微波烧结代替传统水浴加热和反应炉烧结，很大程度地缩减制备时间，得到用于微波调谐元器…… 查看详细 >

一种低温烧结超低温宽温稳定性电容器陶瓷及制备方法

技术简介： 本发明公开了一种低温烧结超低温宽温稳定性电容器陶瓷及制备方法，本发明根据化学式0.8Pb[(Fe2/3W1/3)1‑xTix]O3‑0.2BiFeO3称取Fe2WO6粉体与PbO、Bi2O3、Fe2O3和TiO2作为起始原料，将起始材料…… 查看详细 >

氮化铝增强的石墨基复合材料及制备工艺

技术简介： 本发明公开了一种氮化铝增强的石墨基复合材料及制备工艺，其特征是，以片状石墨作基体，氮化铝作为增强相，均匀分布在石墨片层间，形成三维网状氮化铝骨架与定向排列的石墨片层相结合的各向异性…… 查看详细 >

一种碳化钛泡沫陶瓷的制备方法

技术简介： 一种碳化钛泡沫陶瓷材料的制备方法，以二氧化钛为钛源，以酚醛树脂为碳源，依次进行聚氨酯泡沫腐蚀处理，二氧化钛粉末与酚醛树脂溶液混合，聚氨酯泡沫在混合溶液中真空浸渍，干燥和烧结，烧结工…… 查看详细 >

一种碳化硼基复合陶瓷及其制备方法

技术简介： 本发明公开了一种碳化硼基复合陶瓷及其制备方法，按重量百分数，包括下述组分：碳化硼粉末45％～50％、酚醛树脂5％～8％、金属硅42％～50％；上述组分称量后，先用酒精溶解酚醛树脂，并加入碳化…… 查看详细 >

一种定向排列孔碳化硅多孔陶瓷的制备方法

技术简介： 本发明公开了一种定向排列孔碳化硅多孔陶瓷的制备方法，首先按重量百分比，在基本原料碳化硅10～100％中加入碳粉0～30％，硅粉0～50％，氧化硅粉0～60％；其中碳化硅粒度为W3.5～P220，采用一种…… 查看详细 >