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[00013862]一种GaN基多量子阱超辐射发光二极管及其制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他电子信息

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:200910111881.3

交易方式: 完全转让 许可转让 完全转让

联系人: 厦门大学

所在地:福建 厦门市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

  项目简介:

  一种GaN基多量子阱超辐射发光二极管及其制备方法,涉及一种发光二极管。提供一种出光效率和输出功率较高的GaN基多量子阱超辐射发光二极管及其制备方法。设有蓝宝石衬底,在蓝宝石衬底上外延生长多层异质结构,多层异质结构自下而上设有低温GaN缓冲层、 N型GaN电极接触层、N型AlGaN/GaN超晶格光限制层、N型GaN波导层、InGaN/GaN多量子阱有源层、p型AlGaN电子阻挡层、p型GaN波导层、P型AlGaN/GaN超晶格光限制层、 p型GaN层和p型InGaN/AlGaN超晶格电极接触层,在N型GaN电极接触层上设有n型电极,在p型InGaN/AlGaN超晶格电极接触层上设有p型电极。


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