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[00013875]GaN基多量子阱结构的高亮度发光二极管及其制备方法
联系人： 厦门大学
所在地：福建 厦门市
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技术详细介绍
项目简介：
GaN基多量子阱结构的高亮度发光二极管及其制备方法，涉及发光二极管。发光二极管从下到上依次为衬底、低温缓冲层、n型掺杂的GaN层、3～5个InGaN/GaN多量子阱、p型掺杂的AlGaN层、p型掺杂的GaN层、5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层、p型欧姆接触层、在n型掺杂的GaN层上制备n型欧姆接触层。将衬底装入反应室热处理，依次生长 GaN缓冲层、n型掺硅GaN层、3～5个周期的渐变组分InGaN/GaN多量子阱、p型掺Mg 的AlGaN层、p型掺Mg的GaN层和5个周期掺Mg的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层，外延生长完退火，刻蚀出n型GaN层，再制备n型和p型欧姆接触层。
