X为了获得更好的用户体验,请使用火狐、谷歌、360浏览器极速模式或IE8及以上版本的浏览器
APP下载
欢迎光临,请  登录  |  注册
尊敬的,欢迎光临!  [会员中心]    [退出登录]
成果
成果 专家 院校 需求 政策
当前位置: 首页 >  科技成果  > 详细页

[00013898]一种锗量子点的制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他化学化工

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:200810071934.9

交易方式: 完全转让 许可转让 完全转让

联系人: 厦门大学

所在地:福建 厦门市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
分享
|
收藏
|

技术详细介绍

  项目简介:

  一种锗量子点的制备方法,涉及一种制备锗量子点的方法。提供一种可实现小尺寸、高密度、没有浸润层的Ge量子点的制备方法。在硅衬底或绝缘体上的硅衬底上,生长一层SiGe合金层,Ge组分大于0,小于等于0.5;将SiGe合金层依次用3种清洗液中的至少一种进行清洗,清洗后在SiGe合金层表面形成一层氧化物层,氧化物为SiO↓[2]和GeO↓[2]的混合物;将覆盖有氧化物层的SiGe合金层放入真空腔体内加热脱氧,得Ge量子点。加热温度可大于等于脱氧温度,小于SiGe的熔点。


推荐服务:

龙岩市科技创新服务平台

福建省龙岩市龙岩大道1号市行政办公中心

联系方式:0597-2601001,400-649-1633

|    关于我们    |    帮助中心    |

Copyright © 2019 龙岩市科技开发与科技特派员服务中心 版权所有

闽ICP备20015298号-1

闽公网安备 35080202351102号