X为了获得更好的用户体验,请使用火狐、谷歌、360浏览器极速模式或IE8及以上版本的浏览器
APP下载
欢迎光临,请  登录  |  注册
尊敬的,欢迎光临!  [会员中心]    [退出登录]
成果
成果 专家 院校 需求 政策
当前位置: 首页 >  科技成果  > 详细页

[00014254]具有负微分电阻特性的混合SET/CMOS电路

交易价格: 面议

所属行业: 其他电子信息

类型: 实用新型专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:201220068911.4

交易方式: 许可转让

联系人: 福州大学

所在地:福建 福州市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
分享
|
收藏
|

技术详细介绍

  本实用新型涉及集成电路技术领域,特别是一种具有负微分电阻特性的混合SET/CMOS电路,包括一单电子晶体管SET及一PMOS管,所述的PMOS管的源极与SET的源极相连,SET的栅极则与PMOS管的漏极相连,该SET的漏源两端电压Vds必须满足|Vds|

推荐服务:

龙岩市科技创新服务平台

福建省龙岩市龙岩大道1号市行政办公中心

联系方式:0597-2601001,400-649-1633

|    关于我们    |    帮助中心    |

Copyright © 2019 龙岩市科技开发与科技特派员服务中心 版权所有

闽ICP备20015298号-1

闽公网安备 35080202351102号