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所在地:福建 福州市
本实用新型涉及集成电路技术领域,特别是一种具有负微分电阻特性的混合SET/CMOS电路,包括一单电子晶体管SET及一PMOS管,所述的PMOS管的源极与SET的源极相连,SET的栅极则与PMOS管的漏极相连,该SET的漏源两端电压Vds必须满足|Vds|
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