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[00015369]一种铅镓锗硫晶体,其制备方法及应用

交易价格: 面议

所属行业: 其他新材料技术

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201710404219.1

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 中国科学院海西研究院

所在地:福建 福州市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

摘要:本申请涉及无机非线性光学材料领域,具体讲,涉及一种铅镓锗硫晶体,其制备方法及应用。本申请的铅镓锗硫晶体的化学式为PbGa2GeS6,属正交晶系,空间群Fdd2,单胞参数为α=90°,β=90°,γ=90°,Z=16。本申请的晶体具有优良的非线性光学性能,其粉末倍频强度和激光损伤阈值分别为AgGaS2的0.5倍和5倍。

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