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[00015768]低温高速生长SiC单晶的助熔剂

交易价格: 面议

所属行业: 专用化学

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201610705887.3

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 昆明理工大学

所在地:云南 昆明市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本发明涉及几种低温高速生长SiC单晶的助溶剂,属于晶体生长技术领域。本发明涉及的几种助溶剂为稀土金属镨(Pr)、铈(Ce)、镧(La)、镝(Dy)和铽(Tb),SiC单晶的生长方法为顶部籽晶溶液生长法。首先,将上述任意一种助溶剂与高纯硅(≥99.9999%)一起加热熔融,然后,将装有SiC籽晶的籽晶杆伸入到熔体液面下0.5~5cm处,旋转籽晶杆或者熔融容器进行SiC单晶的生长;晶体生长结束后将籽晶杆从熔体中移出;最后,用HNO3+HF的混酸去除SiC单晶表面的残留物得到高纯SiC单晶。

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