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[00016426]一种抑制无铅焊点界面化合物生长的基板双镀层制备工艺
联系人： 南昌大学
所在地：江西 南昌市
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技术详细介绍
摘要：一种抑制无铅焊点界面化合物生长的基板双镀层制备工艺，包括化学镀Ni‑W‑P层和电镀Cu层。其中化学镀Ni‑W‑P层，其成分按质量百分比构成为77‑80% Ni，14‑16% W，6‑7% P，所述镀层厚度为3~10µm；而电镀Cu层，其厚度为0.5~3µm。本发明制备的Ni‑W‑P/Cu双镀层成分符合电子封装锡基焊点界面反应阻挡层的使用要求，且镀层与基板结合紧密，镀层平整，厚度均匀，结构致密。本发明具有工艺流程简单、工艺参数容易控制等优势，所制备的Ni‑W‑P/Cu双镀层对锡基焊点界面化合物生长具有非常有效的抑制作用。
