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[00016458]一种基于氧化锌/碳杂化纳米结构的多比特存储器及其制备方法
联系人： 南昌大学
所在地：江西 南昌市
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技术详细介绍
摘要：一种基于氧化锌/碳杂化纳米结构的多比特存储器，其特征是包括源极、二氧化硅氧化层、P型硅片、单根一维氧化锌/碳杂化纳米线、栅极、漏极、导线；在P型硅片上表面为二氧化硅氧化层，在二氧化硅氧化层的中间位置水平放置单根一维氧化锌/碳杂化纳米线，单根一维氧化锌/碳杂化纳米线的两端分别为源极和漏极，栅极位于P型硅片衬底底面中心；源极、漏极、栅极分别通过在单根一维ZnO/C杂化纳米线的两端和P型硅片衬底底面中心点银、金或铂浆获得。本发明的多比特存储器具有良好的电阻开关特性，可作为场效应晶体管存储器件使用，器件的制备工艺简单，对实际应用非常有利。
