[00016895]一种原位自生高体积分数Mg2Si增强Mg-Al基复合材料的制备方法

交易价格： 面议

所属行业：

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201410414061.2

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：南昌航空大学

所在地：江西南昌市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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摘要：本发明公开了一种原位自生Mg2Si增强Mg-Al基复合材料的制备方法，属于复合材料制备领域。该方法适用于成分为Mg-9Al-xSi（2＜x＜10，x为质量分数)的镁合金，其Mg2Si体积分数为8%-35%，制备方法具体为：先将纯镁、纯铝和纯硅粉按成分配比放入石墨坩埚中，在氩气保护下采用高频感应加热熔炼获得母合金锭，再将母合金锭重熔至一定温度保温一段时间之后，在脉冲磁场作用下凝固而获得原位自生Mg2Si增强Mg-Al基复合材料。与现有的普通铸造原位自生Mg2Si增强Mg-Al基复合材料方法相比，本发明提供的制备方法可获得颗粒状初生Mg2Si增强相，尺寸更小且分布均匀，并且该制备方法具有工艺简单、无污染、能耗和成本低等优点，适用于具有高体积分数Mg2Si增强相的Mg-Al基复合材料。

[00016895]一种原位自生高体积分数Mg2Si增强Mg-Al基复合材料的制备方法

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