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[00017274]铜铟镓硒靶材连续溅射制备CIGS太阳电池吸收层的新工艺

交易价格: 面议

所属行业: 其他电气自动化

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201110293017.7

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 南昌航空大学

所在地:江西 南昌市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

摘要:本发明是新型低成本铜铟镓硒太阳电池吸收层的制备新工艺。使用不同组成的CIGS靶材进行连续溅射制备出CIGS太阳电池吸收层,通过溅射(In,Ga)Se或(In,Ga)2Se3靶材和多元共蒸发In、Se金属,调整CIGS太阳电池吸收层的组成,得到p+-CuGaSe2和p-Cu(In,Ga)Se2薄膜。该工艺能明显地降低CIGS太阳电池制造成本,还能提高CIGS太阳电池光电转换效率和CIGS太阳电池的良品率。本工艺具有低成本、高稳定性,能够制造出较高光电转换效率CIGS太阳电池,具有比较好的开发价值。

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