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[00018373]超高亮度 GaN 基 LED 芯片
联系人： 厦门大学
所在地：福建 厦门市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
一、项目简介
半导体 LED（发光二极管）具有发光效率高、多色、节能、寿命长、响应快、体积小、
全固化、冷光源（不发热）、绿色环保（无污染）、驱动容易等许多优点，广泛应用于各种信 号和图像的显示。近年来国际上在 GaN 基材料上取得突破进展，研制出高效率的蓝色和白 色高亮度 LED，不但能实现大屏幕全彩色显示，而且有可能取代目前的白炽灯、荧光灯等 用于照明工程，从而彻底改变目前人类的生活。当前国内蓝色、白色 LED 芯片主要还是依 靠进口，在国内封装。国内能生产芯片的厂家不多，而且芯片的发光效率、发光功率、正向 工作电压、抗静电感应能力、工作寿命等性能方面和国外还有一定的差距，具有自主知识产 权的技术也不多。所以，研发生产具有自主知识产权的超高亮度 GaN 基 LED 芯片是适应当 前的 LED 形势，具有很大的发展前景和良好的经济效益。
二、技术特色和技术成熟程度
目前 GaN 基材料的 P 型有效掺杂浓度太低和良好的 P 型欧姆接触制备困难，它将降低 PN 结的注入比、降低发光效率、增加器件正向工作电压、使器件发热、性能变差，成为约 束 GaN 基材料和器件发展技术瓶颈。
我们提出激光诱导下 P 型 GaN 有效掺杂和 P 型欧姆接触制备的方法，并获得表面处空 穴浓度 3.2×1018cm-3 和 P 型比接触电阻为 2.1×10-4Ωcm2 的良好效果，已达国际水平，是目前 国内所报道的最好结果。已申请了“激光诱导下氮化镓 P 型有效掺杂制备方法”（申请号： 200310121093.5，公开号：CN1554576A）和“激光诱导下氮化镓 P 型欧姆接触的制备方法”
（申请号：200310121092.0，公开号：CN1554575A）两项发明专利。该技术和传统的芯片 制备工艺完全兼容，仅增加溅射和激光诱导两道工序。采用该技术后，GaN 蓝色（或白色） LED 的性能将得到大大改善：如正向的工作电压将从目前国内的 3.5V 左右降低到 3.2V，发 光效率和发光功率都将得到提高。
三、应用范围
半导体 LED（发光二极管）芯片生产。
四、预期经济效益
目前 2 英寸直径的 GaN 基延片单价$300 美元，每个芯片面积约 380x380 微米，芯片成 品率约 80％，每片外延片可制备 LED 芯片 约 1 万只。将一片外延片加工为芯片的费用约
￥1000 元。每个芯片的价格约（￥0.2~1.0 元）。具体效益主要由定单决定。
五、合作方式
技术转让或技术入股合作研发, 总经费投入约 1000 万元人民币（含技术转让费）。
