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[00018582]一种 CuInS2 纳米晶半导体薄膜的制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他新材料技术

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN2009102363047

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 北京化工大学

所在地:北京 北京市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本技术属于能源材料领域。本技术分别以氯化铜、氯化铟、硫代硫酸钠和氯化锂作为铜、铟、硫源和支持电解质,以邻苯二甲酸氢钾兼作络合剂和 pH 缓冲剂配制电沉积液,并调节 pH=1.5-3.5 后,在搅拌条件下进行电沉积,而后将所得前躯体薄膜在惰性气氛保护条件下于 250-500℃下恒温 30-180min,得到 CuInS2 纳米晶半导体薄膜。本技术所提供的方法可控性强,重复好,所制备的 CuInS2 纳米晶半导体薄膜无杂质,适用于薄膜太阳能电池光吸收层材料。

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