[00018582]一种 CuInS2 纳米晶半导体薄膜的制备方法
交易价格:
面议
所属行业:
其他新材料技术
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN2009102363047
交易方式:
完全转让
许可转让
技术入股
联系人:
北京化工大学
所在地:北京 北京市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本技术属于能源材料领域。本技术分别以氯化铜、氯化铟、硫代硫酸钠和氯化锂作为铜、铟、硫源和支持电解质,以邻苯二甲酸氢钾兼作络合剂和 pH 缓冲剂配制电沉积液,并调节 pH=1.5-3.5 后,在搅拌条件下进行电沉积,而后将所得前躯体薄膜在惰性气氛保护条件下于 250-500℃下恒温 30-180min,得到 CuInS2 纳米晶半导体薄膜。本技术所提供的方法可控性强,重复好,所制备的 CuInS2 纳米晶半导体薄膜无杂质,适用于薄膜太阳能电池光吸收层材料。