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[00019166]一种耐高温纳米硅薄膜二极管及其制备技术
联系人： 南京航空航天大学
所在地：江苏 南京市
- 服务承诺
- 产权明晰
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资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
该成果是一种用热丝化学气相沉积(HWCVD)方法进行低成本的耐高温二极管制备的技术，它采用高熔点的钨或钽丝作为催化分解热丝，对通入生长腔体中的气体进行快速分解，通过控制热丝温度、H2稀释比、衬底温度和生长气压等参数，可以实现不同导电类型的纳米硅薄膜的沉积和相关二极管的制备，制备的纳米硅薄膜大面积均匀，载流子浓度和迁移率可控性好。
该成果主要面向微电子器件制造行业，如集成电路、大功率器件、特种环境探测器和传感器、光伏产业、发光器件等相关领域。
该成果的耐温指标国内外领先，技术具有独创性，仅在微电子行业就具有巨大的预期效益。对于国家级项目，可以采用合作研发、共同申报国家项目的形式满足资金投入需求；对于行业需求，则可以采用投入研发资金、技术许可等各种灵活措施。
