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[00020482]钙钛矿 LED 器件性能
联系人： 华侨大学
所在地：福建 厦门市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
具有 CsPbBr3@MABr 核一壳结构的钙钛矿薄膜覆盖度高，表面平整，晶体 界面及表面的 MABr 能有效钝化 CsPbBr3 的缺陷态，且薄膜表面的 MABr 起到 了阻挡过量电子的注入，表现出优异的光电性能，将得到的薄膜用于钙钛矿 LED 器件得到外量子效率超过 17%，并通过进一步优化器件结构，在钙钛矿发光层和 电子传输层之间引入聚甲基丙烯酸甲醋(PMMA)绝缘材料作为阻挡层，进一步改 善了器件中电子和空穴的注入平衡和界面特性，使器件的性能和稳定性都得到了 进一步的提高，最终得到了 EQE 超过 20%，寿命（T50）超过 100 小时的钙钛 矿 LED 器件。将钙钛矿 LED 的发展提到了一个新的高度。
