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[00021270]低导通电阻 VDMOS 器件及制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 通用零部件

类型: 专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:

专利号:201410745311.0

交易方式: 完全转让

联系人: 武汉大学

所在地:湖北 武汉市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本发明公开了一种低导通电阻 VDMOS 器件及制备方法,在传统的 VDMOS 器件结构中引入一块与源区掺杂杂质相同的掺杂区。该掺杂区位于栅氧层正下方且与基区和栅氧层紧密接触。相应地,新掺杂区上方的栅极采用中空结构。本发明 VDMOS 器件可有效降低沟道导通电阻和颈区电阻,从而降低VDMOS 器件的导通电阻;同时,采用中空结构的栅极既可避免新掺杂区对击穿电压的影响,也可降低栅极与漏极间结电容,提高 VDMOS 的开关速度。本发明方法工艺简单,易于工业化。

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