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[00022010]一种在钼基片上沉积的钌薄膜及其制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 化工生产

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201610258271.6

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 江苏科技大学

所在地:江苏 镇江市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

一种在钼基片上沉积的钌薄膜及其制备方法,采用磁控溅射法在Mo衬底上制备了Ru薄膜,利用真空退火炉、EDS、XRD,台阶仪及纳米划痕仪等设备研究了不同退火温度对Ru薄膜化学成分、相结构、残余应力及膜基结合力的影响。结果表明,不同退火温度处理下的Ru薄膜呈六方Ru结构,具有择优取向。当退火温度小于300℃时,退火有利于改善薄膜结晶质量,起到释放残余应力及提升膜基结合力的作用;随退火温度的进一步升高,残余应力进一步释放,此外,Ru薄膜中检测到了氧,薄膜中氧化相的出现导致膜基结合力降低。

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