[00022010]一种在钼基片上沉积的钌薄膜及其制备方法
交易价格:
面议
所属行业:
化工生产
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201610258271.6
交易方式:
完全转让
许可转让
技术入股
联系人:
江苏科技大学
所在地:江苏 镇江市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
一种在钼基片上沉积的钌薄膜及其制备方法,采用磁控溅射法在Mo衬底上制备了Ru薄膜,利用真空退火炉、EDS、XRD,台阶仪及纳米划痕仪等设备研究了不同退火温度对Ru薄膜化学成分、相结构、残余应力及膜基结合力的影响。结果表明,不同退火温度处理下的Ru薄膜呈六方Ru结构,具有择优取向。当退火温度小于300℃时,退火有利于改善薄膜结晶质量,起到释放残余应力及提升膜基结合力的作用;随退火温度的进一步升高,残余应力进一步释放,此外,Ru薄膜中检测到了氧,薄膜中氧化相的出现导致膜基结合力降低。