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[00023012]一种基于纳米筛掩模的纳米光电器件制备方法
联系人： 华中科技大学
所在地：湖北 武汉市
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技术详细介绍
摘要：本发明主要属于纳米光电器件制备领域，具体涉及一种基于纳米筛掩模的纳米光电器件制备方法。通过人工生成的纳米孔阵列膜(支撑层)制备获得纳米筛掩模；将制备好的纳米筛掩模转移到光电器件上得到样片；采用沉积或刻蚀技术对样片进行沉积或刻蚀；利用物理或者化学方法去除纳米筛掩模，在光电器件上得到纳米阵列结构。本发明通过人工低成本获得的纳米筛做掩模，采用纳米加工技术，制备大面积的均匀纳米孔、纳米点、纳米柱和纳米圆台阵列，从而获得纳米结构光电器件。该技术的发现与突破，将使得大面积、低成本制备半导体表面有序纳米结构阵列成为可能，对推动纳米结构半导体器件的应用意义重大。
