X为了获得更好的用户体验,请使用火狐、谷歌、360浏览器极速模式或IE8及以上版本的浏览器
APP下载
欢迎光临,请  登录  |  注册
尊敬的,欢迎光临!  [会员中心]    [退出登录]
成果
成果 专家 院校 需求 政策
当前位置: 首页 >  科技成果  > 详细页

[00024969]半导体装置

交易价格: 面议

所属行业: 微电子

类型: 专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:200680045389.5

交易方式: 完全转让

联系人: 东北大学

所在地:辽宁 沈阳市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
分享
|
收藏
|

技术详细介绍

  本发明提供一种半导体装置,为了使构成CMOS电路的P型MOS晶体管和N型MOS晶体管的动作速度实质上相同,对N型MOS晶体管采取在(100)面和 (110)面双方都具有沟道区域的三维构造,对P型MOS晶体管采取仅在(110)面上具有沟道区域的平面构造。进而构成为使两个晶体管的沟道区域和栅极 绝缘膜面积相等。由此,可以使栅极绝缘膜等的面积相等,并且,也可以使栅极容量相等。

推荐服务:

龙岩市科技创新服务平台

福建省龙岩市龙岩大道1号市行政办公中心

联系方式:0597-2601001,400-649-1633

|    关于我们    |    帮助中心    |

Copyright © 2019 龙岩市科技开发与科技特派员服务中心 版权所有

闽ICP备20015298号-1

闽公网安备 35080202351102号