X为了获得更好的用户体验,请使用火狐、谷歌、360浏览器极速模式或IE8及以上版本的浏览器
APP下载
欢迎光临,请  登录  |  注册
尊敬的,欢迎光临!  [会员中心]    [退出登录]
成果
成果 专家 院校 需求 政策
当前位置: 首页 >  科技成果  > 详细页

[00025185]磁阻效应元件以及搭载该元件的不挥发性磁存储器

交易价格: 面议

所属行业: 电子元器件

类型: 专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:200610108923.4

交易方式: 完全转让

联系人: 东北大学

所在地:辽宁 沈阳市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
分享
|
收藏
|

技术详细介绍

  本发明提供高速且耗电极少的不挥发性存储器。在不挥发性存储器上,配备了高输出的隧道磁阻效应元件,应用通过自旋转移力矩的写入方式。隧道磁阻效应元件(1)具有层叠了含有CO、FE和B的体心立方结构的强磁性膜(304)、在(100)取向的岩盐结构的MGO绝缘膜(305)、以及强磁性膜(306)的结构。

推荐服务:

龙岩市科技创新服务平台

福建省龙岩市龙岩大道1号市行政办公中心

联系方式:0597-2601001,400-649-1633

|    关于我们    |    帮助中心    |

Copyright © 2019 龙岩市科技开发与科技特派员服务中心 版权所有

闽ICP备20015298号-1

闽公网安备 35080202351102号