[00027919]一种提拉法晶体生长的下晶温度捕获方法及自动捕获设备

交易价格： 面议

所属行业： 其他新材料技术

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201610056034.1

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：中山大学

所在地：广东广州市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

摘要：本发明公开了一种提拉法晶体生长的下晶温度捕获方法，包括步骤：对晶体炉中盛放晶体材料的坩埚进行加热，使其以一定升温速率恒速升温至目标温度，所述目标温度高于晶体材料的熔点；获取升温过程中的坩埚温度随时间变化所形成的曲线，选取曲线中斜率最大的点对应的温度为下晶温度。本发明的提拉法晶体生长的下晶温度捕获方法，仅通过简单的升温操作，即可利用升温过程中温度随时间变化曲线选取晶体下晶温度。本发明还提供了一种下晶温度自动捕获设备，通过下晶温度获取单元获取升温过程中温度随时间变化曲线，从而选取得到晶体下晶温度，排除人工经验对下晶操作的影响，并可准确判断新型晶体的下晶温度。

[00027919]一种提拉法晶体生长的下晶温度捕获方法及自动捕获设备

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