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[00279430]一种高纯铟的制备方法
联系人： 昆明理工大学
所在地：云南 昆明市
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技术详细介绍
本发明涉及一种高纯铟的制备方法，属于冶金技术领域。本发明将粗铟熔化进行一次n级（5≤n≤15）真空蒸馏，x级（3≤x≤7）冷凝，其中真空蒸馏的温度为1200～1400℃，真空度为5～20Pa，所得第a级馏分即为高纯铟，其中x为偶数，a为x/2+1，x为奇数，a为（x+1）/2，高纯铟中铟的质量百分数含量不小于99.999%；本发明方法，能充分的除去多种杂质元素得到高纯铟，具有工艺流程简单，效率高，对环境无污染的特点。
