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[00028369]半导体场致电子发射研究
联系人： 东南大学
所在地：江苏 南京市
- 服务承诺
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资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
场致电子发射一般是在金属或半导体等表面施加高强度的电场、通过隧道效应使电子进入真空中。与热电子发射相比，利用场发射的冷阴极具有功耗低、响应速度快等优点。采用微加工技术可以容易制备出大面积场发射阵列，从而大大提高了发射电流密度，使冷阴极在高频器件和平板显示等领域显示出广阔的应用前景。
本项目突出的、有明显创新的内容有：
⑴ 建立了N型硅场发射期间表面量子化作用下的场发射理论。量子化的作用使场发射电流明显增大；来自导带底准连续能级的发射可能导致发射电流的微小振荡。该方面的结果被日本、韩国等同行多次引用，并做为例证来说明其理论或实验结果。
⑵ 建立了硅表面存在本征氧化层情况下的场发射理论；提出了本征氧化层中的陷阱是导致发射不稳定的因素，并建立了相关理论。该方面的成果被美国、德国等同行多次引证，用来解释所观察到的实验现象。
⑶ 提出了P型硅场发射期间，硅表面场增强产生载流子的机制。
⑷研究了键合工艺在制备场发射阵列中的关键技术问题，将键合技术应用于场发射阵列的制备。该方面的研究成果被美国、韩国同行作为场发射新技术加以引用，并指出这种技术可以提高封装密度。
