[00281470]一种In₂O₃/SnO₂多孔道结构气敏材料的制备方法

交易价格： 面议

所属行业： 其他新材料技术

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201010274183.8

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：昆明理工大学

所在地：云南昆明市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明是一种In2O3/SnO2多孔道结构气敏材料的制备方法。将市售In2O3和SnO2粉按4∶1或7∶3或3∶2的比例在钢模中进行压制成素坯，然后将素坯装入氧气氛烧结炉中进行固相烧结，最终获得多孔道结构In2O3/SnO2气敏材料。该方法通过对烧结温度的调控来获得孔型规整的微米及亚微米级孔道结构In2O3/SnO2气敏材料，一方面通过多孔道结构增加比表面积以提高气敏性，另一方面通过调控In2O3/SnO2的量来提高对不同气体的选择性。最终获得灵敏度高、选择性强的多孔道结构气敏材料。本发明所采用的方法具有原料准备简单、成本低、易控制、生产清洁等优点。

[00281470]一种In2O3/SnO2多孔道结构气敏材料的制备方法

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