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[00029388]一种具有源端内嵌叉指NMOS的LDMOS-SCR器件
联系人： 江南大学
所在地：江苏 无锡市
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技术详细介绍
摘要：一种具有源端内嵌叉指NMOS的LDMOS-SCR器件，可用于提高片上IC的ESD保护可靠性。主要由P衬底、P外延、P阱、N阱、第一N+注入区、第二N+注入区、第一P+注入区、第三N+注入区、第四N+注入区、第二P+注入区、第五N+注入区、若干多晶硅栅、若干薄栅氧化层和若干场氧隔离区构成。该器件一方面由第二P+注入区、第三多晶硅栅、第五N+注入区、N阱、P阱、第一P+注入区、第一N+注入区形成寄生的LDMOS-SCR电流路径，可增强器件的ESD鲁棒性；另一方面由第一N+注入区、第一多晶硅栅、第一薄栅氧化层、第二N+注入区、第一P+注入区、第三N+注入区、第二多晶硅栅、第二薄栅氧化层和第四N+注入区构成的叉指NMOS和寄生电阻，可形成阻容耦合效应，提高维持电压。
