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[00029389]一种PMOS触发LDMOS-SCR结构的高维持电压ESD保护器件
联系人： 江南大学
所在地：江苏 无锡市
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技术详细介绍
摘要：一种PMOS触发LDMOS‑SCR结构的高维持电压ESD保护器件，可用于片上IC高压ESD保护电路。主要由P衬底、N阱、P阱、第一P+注入区、第二P+注入区、N+注入区、第三P+注入区、第四P+注入区、金属阳极、金属阴极、多晶硅栅、薄栅氧化层和若干场氧隔离区构成。该LDMOS‑SCR结构的ESD保护器件在高压ESD脉冲作用下，一方面由第三P+注入区、第二多晶硅栅及其覆盖的薄栅氧化层、N阱、第四P+注入区构成的PMOS泄放路径，提高器件的维持电压、降低器件的触发电压；另一方面由所述第四P+注入区、所述N阱、所述P阱、所述第二P+注入区构成一条PNPN结构的ESD电流泄放路径，以提高器件的二次失效电流、增强器件的ESD鲁棒性。
