[00029986]一种无铜籽晶互连用碳化钼掺杂钌基合金扩散阻挡层制备工艺
交易价格:
面议
所属行业:
其他电气自动化
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201410201533.6
交易方式:
完全转让
许可转让
技术入股
联系人:
四川大学
所在地:四川 成都市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要:本发明公开了一种碳化钼掺杂钌基合金(RuMoC)扩散阻挡层制备工艺,它涉及超深亚微米集成电路后端互连结构中铜(Cu)与氧化硅基绝缘介质(SiOC:H)之间一种新型扩散阻挡层的制备工艺。本发明沉积的RuMoC(5nm)阻挡层热稳定温度可达600℃以上,能有效地抑制铜原子朝氧化硅基介质体内扩散。采用该工艺制备的RuMoC(5nm)扩散阻挡层能有效降低互连膜系电阻率,降低互连电路的阻容耦合(RC)延迟效应,提高半导体器件的运行速度和稳定性。