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[00029986]一种无铜籽晶互连用碳化钼掺杂钌基合金扩散阻挡层制备工艺

交易价格: 面议

所属行业: 其他电气自动化

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201410201533.6

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 四川大学

所在地:四川 成都市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

摘要:本发明公开了一种碳化钼掺杂钌基合金(RuMoC)扩散阻挡层制备工艺,它涉及超深亚微米集成电路后端互连结构中铜(Cu)与氧化硅基绝缘介质(SiOC:H)之间一种新型扩散阻挡层的制备工艺。本发明沉积的RuMoC(5nm)阻挡层热稳定温度可达600℃以上,能有效地抑制铜原子朝氧化硅基介质体内扩散。采用该工艺制备的RuMoC(5nm)扩散阻挡层能有效降低互连膜系电阻率,降低互连电路的阻容耦合(RC)延迟效应,提高半导体器件的运行速度和稳定性。

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